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全球首批64层3D NAND闪存的样品出货

东芝于7月27日推出了最新一代BiCS FLASHTM三维 (3D)闪存存储器,采用了堆栈式单元结构。该款64层工艺的存储器成为了世界首款样品出货的产品。新型存储器采用3-bit-per-cell(1个存储器储存单元可存放3比特的数据)技术,实现了256Gbit (32GB)的容量。这种进步印证了东芝专有架构的潜力。东芝将不断精进BiCS FLASHTM制造工艺,其发展蓝图中的下一个里程碑将是同样采用64层堆栈的512Gbit (64GB) 容量存储器。

这款新型存储器沿袭48层BiCS FLASHTM,并采用领先的64层堆叠工艺,使每个单元芯片的容量比48层堆叠工艺增加40%,在降低每比特成本的同时提高每个硅晶圆的存储容量的可加工性。64层BiCS FLASHTM满足严格的性能规范,将用于包括企业级SSD和消费级SSD、智能手机、台式电脑和存储卡等存储相关应用。

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