5月21 日，东芝宣布最新的64Gbit NAND闪存已研发完成，将从本月起开始量产。新品不只采用19nm第二代制程，还改良周边回路，面积比东芝现有产品约缩小30%，最终达成94mm平方的芯片尺寸，这也是世界最小尺寸的2bit/Cell 64Gbit NAND闪存，未来可望使智能手机、数码相机、平板电脑等产品的设计更加小型轻量化，并扩大储存容量。同时，通过东芝独家的高速写入回路，也实现了2bit/Cell 产品中世界最快的写入速度25MB/sec。

19nm第一代制程NAND闪存是由东芝与SanDisk在2011年4月共同研发的产品，今后东芝也将继续研发符合市场需求的NAND 闪存，运用于闪存、智能手机、平板电脑、Ultrabook等，SSD固态硬盘则以数据中心、企业市场为主。（TELS 汤文）